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Logic and in-memory computing achieved in a single ferroelectric semiconductor transistor 期刊论文
Science Bulletin, 2021
作者:  Wang J.;  Wang F.;  Wang Z.;  Huang W.;  Yao Y.;  Wang Y.;  Yang J.;  Li N.;  Yin L.;  Cheng R.;  Zhan X.;  Shan C.;  He J.
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In-memory computing  Logic  Non-volatile optoelectrical computing  Optoelectrical logic  Two-dimensional ferroelectric semiconductors  
Mapping essential urban land use categories in China (EULUC-China): preliminary results for 2018 期刊论文
Science Bulletin, 2020, 卷号: 65, 期号: 3
作者:  Gong P.;  Chen B.;  Li X.;  Liu H.;  Wang J.;  Bai Y.;  Chen J.;  Chen X.;  Fang L.;  Feng S.;  Feng Y.;  Gong Y.;  Gu H.;  Huang H.;  Huang X.;  Jiao H.;  Kang Y.;  Lei G.;  Li A.;  Li X.;  Li X.;  Li Y.;  Li Z.;  Li Z.;  Liu C.;  Liu C.;  Liu M.;  Liu S.;  Mao W.;  Miao C.;  Ni H.;  Pan Q.;  Qi S.;  Ren Z.;  Shan Z.;  Shen S.;  Shi M.;  Song Y.;  Su M.;  Ping Suen H.;  Sun B.;  Sun F.;  Sun J.;  Sun L.;  Sun W.;  Tian T.;  Tong X.;  Tseng Y.;  Tu Y.;  Wang H.;  Wang L.;  Wang X.;  Wang Z.;  Wu T.;  Xie Y.;  Yang J.;  Yang J.;  Yuan M.;  Yue W.;  Zeng H.;  Zhang K.;  Zhang N.;  Zhang T.;  Zhang Y.;  Zhao F.;  Zheng Y.;  Zhou Q.;  Clinton N.;  Zhu Z.;  Xu B.
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Subthermionic field-effect transistors with sub-5 nm gate lengths based on van der Waals ferroelectric heterostructures 期刊论文
Science Bulletin, 2020, 卷号: 65, 期号: 17
作者:  Wang F.;  Liu J.;  Huang W.;  Cheng R.;  Yin L.;  Wang J.;  Sendeku M.G.;  Zhang Y.;  Zhan X.;  Shan C.;  Wang Z.;  He J.
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Ferroelectric two-dimensional materials  Short-channel field-effect transistor  Subthermionic field-effect transistor  van der Waals heterostructure