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Subthermionic field-effect transistors with sub-5 nm gate lengths based on van der Waals ferroelectric heterostructures 期刊论文
Science Bulletin, 2020, 卷号: 65, 期号: 17
作者:  Wang F.;  Liu J.;  Huang W.;  Cheng R.;  Yin L.;  Wang J.;  Sendeku M.G.;  Zhang Y.;  Zhan X.;  Shan C.;  Wang Z.;  He J.
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Ferroelectric two-dimensional materials  Short-channel field-effect transistor  Subthermionic field-effect transistor  van der Waals heterostructure