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Enhanced cavity coupling to silicon vacancies in 4H silicon carbide using laser irradiation and thermal annealing 期刊论文
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 2021, 卷号: 118, 期号: 12
作者:  Gadalla M.N.;  Greenspon A.S.;  Defo R.K.;  Zhang X.;  Hu E.L.
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2021/05/24