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High-current MoS2 transistors with non-planar gate configuration 期刊论文
Science Bulletin, 2021, 卷号: 66, 期号: 8
作者:  Lin J.;  Wang B.;  Yang Z.;  Li G.;  Zou X.;  Chai Y.;  Liu X.;  Liao L.
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2021/09/01
High current density  MoS2 transistors  Non-planar  Omega-shaped gate