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InAs QDs on (111)-faceted Si (001) hollow substrates with strong emission at 1300 nm and 1550 nm 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 113, 期号: 5
作者:  Wei, Wen-Qi;  Wang, Jian-Huan;  Zhang, Bin;  Zhang, Jie-Yin;  Wang, Hai-Ling;  Feng, Qi;  Xu, Hong-Xing;  Wang, Ting;  Zhang, Jian-Jun
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