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The Characteristics and Modeling of 600V and 1200V SiC Power MOSFET 期刊论文
2018 14TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2018
作者:  Chen, Hong;  Hao, Jilong;  Zhou, QianFei;  Feng, Qi;  Bai, Yun
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/11/08
SiC Power MOSFET  Modeling  Fabrication Process  Dynamic Validation  Double Pulse Test